关于东莞市中晶半导体科技有限公司第三代半导体GaN基衬底及MicroLED产业化项目环境保护设施调试的报告

东莞市生态环境局企石分局：

我公司的废水、废气、噪声污染防治设施已经建成，现进入调试阶段，根据《建设项目环境保护管理条例》，以及《建设项目竣工环境保护验收暂行办法》，现把相关调试信息向贵局报告如下：

项目名称：东莞市中晶半导体科技有限公司第三代半导体GaN基衬底及MicroLED产业化项目

建设单位：东莞市中晶半导体科技有限公司

建设内容：东莞市中晶半导体科技有限公司位于东莞市企石镇北纵二路2号（地理位置坐标：N 23° 02'22.88"，E 114°02'48.36"）。项目总投资5.0亿元，占地面积10415.7m2，建筑面积3744m2，年生产2英寸氮化镓自支撑衬底1440片、氮化镓基光二极管晶园15万片、氮化镓基光二极管芯片5万片，于2018年5月14日经东莞市环境保护局审批同意建设（东环建【2018】2491号）、2018年12月27日经东莞市环境保护局审批同意建设（东环建【2018】13633号）、2020年1月2日经东莞市环境保护局审批同意建设（东环建【2020】154号）

竣工日期：相关废水、废气、噪声处理设施已经于2020年5月4日建成，现进入调试。

调试的起止日期：2020年5月4日至2020年6月30日。

公示期间，对建设项目有异议、疑问或建议的公示，可通过电话、电子邮件等方式向建设单位提出意见或建议。个人须署真实姓名，单位须加盖公章。

建设单位联系人：李泽祺

联系电话：18566555247

电子邮箱：lizq02@sinonitride.com

生态环境部门举报电话：12369

东莞市中晶半导体科技有限公司

                                  2020年5月4日