关于东莞市中晶半导体科技有限公司第三代半导体GaN基衬底及MicroLED产业化项目环境保护设施调试的报告

东莞市环境保护局企石分局：

我公司的废气、噪声环境保护设施已经建成，现进入调试阶段，根据《建设项目环境保护管理条例》，以及《建设项目竣工环境保护验收暂行办法》，现把相关调试信息向贵局报告如下：

项目名称：东莞市中晶半导体科技有限公司第三代半导体GaN基衬底及MicroLED产业化项目

建设单位：东莞市中晶半导体科技有限公司

建设内容：东东莞市中晶半导体科技有限公司位于东莞市企石镇北纵二路2号（地理位置坐标：N 23° 02'22.88"，E 114°02'48.36"）。项目总投资5.0亿元，占地面积10415.7m2，建筑面积3744m2，项目主要从事氮化镓衬底、氮化镓发光二极管晶园、氮化镓发光二极管芯片生产，年生产2英寸氮化镓自支撑衬底1440片、氮化镓基光二极管晶园15万片、氮化镓基光二极管芯片5万片，项目设置有氢化物气相外延装置、激光剥离机、自动抛光机、清洗机、烤箱、高速精雕机等设备。

竣工日期：相关废气、噪声处理设施已经于2018年11月建成，现进入调试。

调试的起止日期：2018年12月14日至2018年12月21日。

公示期间，对建设项目有异议、疑问或建议的公示，可通过电话、电子邮件等方式向建设单位提出意见或建议。个人须署真实姓名，单位须加盖公章。

建设单位联系人：李泽祺

联系电话：185665552478

电子邮箱：lizq02@sinonitride.com

生态环境部门举报电话：12369

附件：1.公示说明

      2.公示网站截图

东莞市中晶半导体科技有限公司

                          2018年12月14日